《碳化硅\\硅纳米异质结阵列的制备和物性研究》对碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性进行了研究.主要内容包括SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备、SiC/Si-VPA的场致发射性能研究、SiC/Si-NPA的光致发光性能研究、SiC/Si-NPA的气体传感性能研究等。
《碳化硅\\硅纳米异质结阵列的制备和物性研究》结构合理.条理清晰，内容丰富新颖，是一本值得学习研究的著作，可供相关人员参考使用。
目录
前言
第1章 绪论
1. 1半导体材料的发展
1. 2SiC半导体的基本性质
1. 3SiC纳米材料的研究
1. 4硅基复合体系
1. 5本书的研究内容
第2章 SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备
2.1引言
2.2Si-NPA的制备和表征
2.3SiC纳米晶/Si-NPA的制备和表征
2.4SiC纳米线/Si-NPA的制备和表征
2.5小结
第3章 SiC/Si-NPA的场致发射性能研究
3.1引言
3.2nc-SiC/Si-NPA的I-V特性
3.3 nw-SiC/ Si-NPA的场发射性能
3.4CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的场发射性能
3.5小结
第4章 SiC/Si-NPA的光致发光性能研究
4.1引言
4.2nw-SiC/Si-NPA的光致发光性能
4.3nc-SiC/Si-NPA光致发光性能
4.4小结
第5章 SiC/Si-NPA的气体传感性能研究
5.1引言
5.2SiC基气体传感器
5.3SiC/Si-NPA气体传感器的制备
5.4H2S气体传感器
5.5湿度传感器
5.6小结
结论与展望
参考文献
附录
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暂无
