《基于脉冲激光沉积富硼B-C薄膜的关键技术研究》旨在利用脉冲激光沉积技术，将其分别采用碳化硼陶瓷靶与硼碳拼合靶为靶材。通过对靶材成分、组成形式及沉积温度等工艺参数的调整，得到表面平整、厚度均匀及成分可控的富硼B-C薄膜，建立靶材成分、组成形式和沉积温度等工艺参数与薄膜组成、结构之间的关系，对该系列薄膜的生长机理进行分析研究。
目录
《博士后文库》序言
前言
章 导论 1
1.1 激光惯性约束核聚变 2
1.1.1 激光惯性约束核聚变技术 2
1.1.2 激光惯性约束核聚变靶丸材料 4
1.2 B-C系列材料 5
1.2.1 B-C系列材料的晶体结构 5
1.2.2 B-C系列材料的研究现状 8
1.2.3 B-C系列薄膜的研究现状 10
第2章 富珊B-C陶瓷的制备、结构分析与成分控制 13
2.1 引言 13
2.2 实验与测试 14
2.2.1 实验原料 14
2.2.2 实验设计与工艺过程 14
2.2.3 测试方法 15
2.3 B-C系列陶瓷靶材的烧结致密化 16
2.3.1 B-C陶瓷烧结体的致密度分析 16
2.3.2 B-C陶瓷的物相分析 17
2.3.3 B-C陶瓷的显微结构分析 23
2.4 不同配比B-C陶瓷靶材的制备与成分控制 27
2.4.1 不同配比B-C陶瓷的物相结构分析 27
2.4.2 不同原子比B-C陶瓷的显微结构分析 28
2.4.3 B-C陶踵的化学组成分析与成分控制 30
2.4.4 硼、碳原子的化学结构分析 31
第3章 采用B-C陶瓷靶的富硼B-C薄膜脉冲激光沉积 35
3.1 引言 35
3.2 实验与测试 36
3.2.1 实验原料 36
3.2.2 实验设计与工艺过程 36
3.2.3 测试方法 39
3.3 富硼B-C薄膜的脉冲激光沉积工艺研究 41
3.3.1 脉冲激光能量对薄膜沉积质量的影响 4
3.3.2 靶-基距对薄膜沉积质量的影响 46
3.4 B-C薄膜的成分研究 49
3.4.1 B-C薄膜的化学组成分析与成分控制 49
3.4.2 硼、碳原子的化学结构研究 50
第4章 采用B-C拼合靶的富硼B-C薄膜脉冲激光沉积 53
4.1 引言 53
4.2 实验与测试 54
4.2.1 实验原料 54
4.2.2 实验设计与工艺过程 55
4.2.3 测试方法 57
4.3 B-C拼合靶的脉冲激光沉积工艺研究 58
4.3.1 基板温度对薄膜沉积质量的影响 58
4.3.2 靶材自转速度对薄膜沉积质量的影响 64
4.4 B-C薄膜的成分分析与控制 65
4.4.1 B-C薄膜的化学组成分析与成分控制 65
4.4.2 硼、碳原子的化学结构分析 66
4.5 B-C拼合靶的脉冲激光沉积过程分析 68
4.5.1 脉冲激光沉积技术 68
4.5.2 脉冲激光烧蚀靶材过程分析 69
4.5.3 脉冲激光烧蚀产生等离子体的膨胀行为分析 71
4.5.4 等离子体羽辉边界的求解 75
4.5.5 B-C薄膜中原子比的理论计算 77
本书总结 81
参考文献 83
